“第三代半导体紫外探测材料及器件关键技术”项目 课题绩效评价会议报道
杰生半导体 杨天鹏报道
2021年9月11日，国家重点研发计划战略性先进电子材料重点专项“第三代半导体紫外探测材料及器件关键技术”项目课题绩效评价会议在无锡融创皇冠假日酒店举行。项目由南京大学陆海教授做为总负责人，由华中科技大学、南京大学、东南大学、华东师范大学、中山大学、清华大学、西安交大、厦门大学、中科院长春光机所、中电55所等多所知名科研院所和杰生半导体、思源电气、东莞天域半导体等多家知名企业共同参与研发工作。项目绩效评价专家组由北京大学沈波教授、苏州长光华芯光电技术股份有限公司廖新胜研究员、中科院苏州纳米所徐科研究员等7名知名专家组成。杨天鹏博士代表杰生半导体参会。
项目总负责人南京大学陆海教授代表项目组首先代表课题组向专家组各位专家汇报项目的总体情况。项目进展顺利，各项指标均达到验收要求。
之后由项目所属的四个子课题负责人分别做各自的项目进展情况汇报，依次为子课题一“宽禁带半导体雪崩光电探测器外延关键技术”负责人华中科技大学陈长清教授、子课题二“高增益紫外雪崩光电探测器与成像芯片制备技术”负责人南京大学陆海教授、子课题三“宽禁带半导体雪崩光电探测器物理与新结构器件”负责人南京大学陈敦军教授、子课题四“紫外探测阵列读出电路与成像系统集成技术”成员东南大学郑丽霞副教授（代负责人孙伟锋教授）。
杰生半导体参与子课题一的研发工作，承担高Al组分AlGaN薄膜厚度与均匀性优化工作，由陈长清教授介绍。
结题指标为AlGaN薄膜的Al组分≥0.4，厚度不均匀性＜3%，委托检测的结果是AlGaN薄膜中的Al组分为0.588，厚度不均匀性为2.709%，均完成结题指标要求。
专家组对项目结题指标、申请专利、发表论文等情况进行了详细地检查和询问，一致认为项目总体进展顺利，达到结题要求。后各位专家和项目组成员合影留念。
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